STB22NS25ZT4

STMicroelectronics

STB22NS25ZT4

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK

УстаревшийTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 11A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2400 pF @ 25 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR)
Статус позицииУстаревший
СерияMESH OVERLAY™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность135W (Tc)

Механические

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD2PAK

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)