STB20N60M2-EP

STMicroelectronics

STB20N60M2-EP

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberSTB20
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияMDmesh™ M2-EP
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK (TO-263)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)