SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics

SCTWA90N65G2V-4

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 50A, 18V
Базовый Part NumberSCTWA90
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3380 pF @ 400 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C119A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность565W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяHiP247™ Long Leads

Среда

Рабочая температура-55°C~200°C(TJ)