SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SCTL35N65G2V

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 20A, 20V
Базовый Part NumberSCTL35
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1370 pF @ 400 V
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность417W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerFlat™ (8x8) HV

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)