Общие
| Базовый Part Number | MJD122 |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
| Power - Max | 20 W |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус производителя | TO-251 (IPAK) |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|