Общие
| Базовый Part Number | MD2009 |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.8V @ 1.4A, 5.5A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 5.5A, 5V |
| Power - Max | 58 W |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Корпус производителя | TO-3PF |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|