MASTERGAN3TR

STMicroelectronics

MASTERGAN3TR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

HIGH POWER DENSITY 600 V HALF BR

В производстве31-VQFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Конфигурация выходаHalf Bridge
Rds On (Typ)225mOhm LS, 450mOhm HS
ПримененияDC-DC Converters
Fault ProtectionOver Temperature, UVLO
ОсобенностиBootstrap Circuit
ИнтерфейсLogic
Load TypeInductive, Capacitive, Resistive
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияDMOS

Электрические

Выходной ток на канал6.5A, 4A
Current - Peak Output6.5A, 4A
Напряжение нагрузки3.3V ~ 15V
Напряжение питания3.3V ~ 15V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case31-VQFN Exposed Pad
Корпус производителя31-QFN (9x9)

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C