L6491DTR

STMicroelectronics

L6491DTR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO

В производстве14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberL6491
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительSTMicroelectronics
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)15ns, 15ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)4A, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600 V
Logic Voltage - VIL, VIH1.45V, 2V
Напряжение питания10V ~ 20V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя14-SO

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TJ)