Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 43 pF @ 25 V |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | STripFET™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус производителя | TO-92-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|