Общие
| Базовый Part Number | 2N60 |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 2A, 3V |
| Power - Max | 40 W |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Корпус производителя | SOT-32 |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|