Общие
| Базовый Part Number | SICRB101200 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 640pF @ 0V, 1MHz |
| Производитель | SMC Diode Solutions |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | D2PAK |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|