Общие
| Тип выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Производитель | Sharp Microelectronics |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Response Time | 50µs, 50µs |
| Sensing Distance | 0.256" (6.5mm) |
| Sensing Method | Reflective |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | PCB Mount |
Среда
| Рабочая температура | -25°C ~ 85°C |
|---|