GPA030A135MN-FDR

SemiQ

GPA030A135MN-FDR

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

УстаревшийTO-3P-3, SC-65-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge300 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительSemiQ
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)450 ns
Switching Energy4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C30ns/145ns
Test Condition600V, 30A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1350 V
Current - Collector (Ic) (Max)60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)90 A
Power - Max329 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Корпус производителяTO-3PN

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)