Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 210 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | SemiQ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 425 ns |
| Switching Energy | 2.8mJ (on), 480µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/150ns |
| Test Condition | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Power - Max | 223 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус производителя | TO-3PN |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|