Общие
| Базовый Part Number | GHXS050 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Производитель | SemiQ |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 50 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 150A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 750 µA @ 1700 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус производителя | SOT-227 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|