Общие
| Базовый Part Number | GHXS020 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Производитель | SemiQ |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Tube |
| Статус позиции | В производстве |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 600 V |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Механические
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
|---|---|
| Корпус производителя | SOT-227 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|