2SK4161D

Sanken Electric USA Inc

2SK4161D

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOS FET 60V/100A/0.0038

В производствеTO-3P-3, SC-65-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10000 pF @ 10 V
ПроизводительSanken Electric USA Inc.
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность132W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Корпус производителяTO-3P

Среда

Рабочая температура175°C (TJ)