Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Synchronous |
| Производитель | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Время цикла записи | 7.5ns |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 2Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 3.3V |
| Memory Organization | 64K x 32 |
Механические
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Корпус производителя | 100-TQFP |
Среда
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
|---|