Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Asynchronous |
| Производитель | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tray |
| Статус позиции | Устаревший |
| Время цикла записи | 55ns |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 4Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 512K x 8 |
Механические
| Корпус производителя | 32-TSOP REVERSE |
|---|
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|