K6F2016U4D-FF70T00

Samsung Semiconductor, Inc

K6F2016U4D-FF70T00

Память и хранение данных

SRAM ASYNC SLOW 2MB 128Kx16 3.3V

УстаревшийПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиVolatile
ТехнологияSRAM - Asynchronous
ПроизводительSamsung Semiconductor, Inc.
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR)
Статус позицииУстаревший
Время цикла записи70ns

Электрические

Объем памяти2Mbit
Формат памятиSRAM
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 16

Механические

Корпус производителя48-FBGA (6x7)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)