K6E0808C1E-JC15000

Samsung Semiconductor, Inc

K6E0808C1E-JC15000

Память и хранение данных

SRAM ASYNC FAST 256K 32Kx8 5V 28

УстаревшийПамять и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиVolatile
ТехнологияSRAM - Asynchronous
ПроизводительSamsung Semiconductor, Inc.
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTube
Статус позицииУстаревший
Время цикла записи15ns

Электрические

Объем памяти256Kbit
Формат памятиSRAM
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания5V
Memory Organization32K x 8

Механические

Корпус производителя28-SOJ

Среда

Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)