Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Производитель | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 8Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 1866 MHz |
| Напряжение питания | 1.1V |
| Memory Organization | 256M x 32 |
Механические
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 200-TFBGA |
Среда
| Рабочая температура | -25°C ~ 85°C |
|---|