Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Производитель | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 4Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 800 MHz |
| Напряжение питания | 1.35V |
| Memory Organization | 256M x 16 |
Механические
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 96-TFBGA |
Среда
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C |
|---|