Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Производитель | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | В производстве |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Объем памяти | 4Gbit |
|---|---|
| Формат памяти | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 1.2V |
| Memory Organization | 512M x 8 |
Механические
| Package / Case | 78-FBGA |
|---|
Среда
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C |
|---|