UT6MA2TCR

Rohm Semiconductor

UT6MA2TCR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8

В производстве6-PowerUDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Базовый Part NumberUT6MA2
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 15V, 305pF @ 15V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Механические

Package / Case6-PowerUDFN
Корпус производителяHUML2020L8

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)