UT6KC5TCR

Rohm Semiconductor

UT6KC5TCR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN

В производстве8-PowerUDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 3.5A, 10V
Базовый Part NumberUT6KC5
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds135pF @ 30V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Механические

Package / Case8-PowerUDFN
Корпус производителяDFN2020-8D

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)