US6K2TR

Rohm Semiconductor

US6K2TR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

В производстве6-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.4A, 10V
Базовый Part NumberUS6K2
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds70pF @ 10V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A
Power - Max1W

Механические

Package / Case6-SMD, Flat Leads
Корпус производителяTUMT6

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)