UMB10NTN

Rohm Semiconductor

UMB10NTN

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

В производстве6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberUMB10
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47kOhms
Transistor Type2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Power - Max150mW
Frequency - Transition250MHz

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяUMT6