TT8K11TCR

Rohm Semiconductor

TT8K11TCR

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST

Снят с производства8-SMD, Flat LeadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs71mOhm @ 3A, 10V
Базовый Part NumberTT8K11
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140pF @ 10V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1A

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Корпус производителя8-TSST

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)