SP8M9TB

Rohm Semiconductor

SP8M9TB

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOP

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 10V
Базовый Part NumberSP8M9
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1190pF @ 10V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииУстаревший
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A, 5A
Power - Max2W

Механические

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)