SH8MC5TB1

Rohm Semiconductor

SH8MC5TB1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8SOP

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Базовый Part NumberSH8MC5
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta), 7A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)