SH8M70TB1

Rohm Semiconductor

SH8M70TB1

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.63Ohm @ 1.5A, 10V
Базовый Part NumberSH8M70
КонфигурацияN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 25V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR)
Статус позицииУстаревший
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A, 2.5A
Power - Max2W

Механические

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)