SH8KC6TB1

Rohm Semiconductor

SH8KC6TB1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 6.5A, 10V
Базовый Part NumberSH8KC6
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 30V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)