SH8K32TB1

Rohm Semiconductor

SH8K32TB1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP

Снят с производства8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 4.5A, 10V
Базовый Part NumberSH8K32
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 10V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Power - Max2W

Механические

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOP (5.0x6.0)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)