SCT3120AW7TL

Rohm Semiconductor

SCT3120AW7TL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SICFET N-CH 650V 21A TO263-7

В производствеTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs156mOhm @ 6.7A, 18V
Базовый Part NumberSCT3120
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460 pF @ 500 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 3.33mA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность100W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Корпус производителяTO-263-7

Среда

Рабочая температура175°C(TJ)