SCT3030AW7TL

Rohm Semiconductor

SCT3030AW7TL

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SICFET N-CH 650V 70A TO263-7

В производствеTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 27A, 18V
Базовый Part NumberSCT3030
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1526 pF @ 500 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 13.3mA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность267W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Корпус производителяTO-263-7

Среда

Рабочая температура175°C(TJ)