Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 10A, 18V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 500 V |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 3.3mA |
| Напряжение сток-исток | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 165W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220AB |
| Рабочая температура | 175°C(TJ) |
|---|