SCS308AHGC9

Rohm Semiconductor

SCS308AHGC9

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP

Снят с производстваTO-220-2Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberSCS308
Capacitance @ Vr, F400pF @ 1V, 1MHz
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
УпаковкаTube
Статус позицииLast Time Buy
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 650 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

Package / CaseTO-220-2
Корпус производителяTO-220ACP

Среда

Operating Temperature - Junction175°C (Max)