RX3G07CGNC16

Rohm Semiconductor

RX3G07CGNC16

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 70A, 10V
Базовый Part NumberRX3G07
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2410 pF @ 20 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 500µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность78W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220AB

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)