RW4E075AJTCL1

Rohm Semiconductor

RW4E075AJTCL1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0

В производстве6-PowerUFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 7.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds720 pF @ 15 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 2mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerUFDFN
Корпус производителяDFN1616-7T

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)