RW4E065GNTCL1

Rohm Semiconductor

RW4E065GNTCL1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER

В производстве6-PowerUFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs22.5mOhm @ 6.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds260 pF @ 15 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

Package / Case6-PowerUFDFN
Корпус производителяDFN1616-7T

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)