RW4E045AJTCL1

Rohm Semiconductor

RW4E045AJTCL1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0

В производстве6-PowerUFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 15 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerUFDFN
Корпус производителяDFN1616-7T

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)