RW1E014SNT2R

Rohm Semiconductor

RW1E014SNT2R

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Устаревший6-SMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds70 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность400mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, Flat Leads
Корпус производителя6-WEMT

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)