RV8L002SNHZGG2CR

Rohm Semiconductor

RV8L002SNHZGG2CR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W

В производстве3-XFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
Базовый Part NumberRV8L002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 25 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Корпус производителяDFN1010-3W

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)