RV8C010UNHZGG2CR

Rohm Semiconductor

RV8C010UNHZGG2CR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W

В производстве3-XFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs470mOhm @ 500mA, 4.5V
Базовый Part NumberRV8C010
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
Корпус производителяDFN1010-3W

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)