Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 3.1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 10 V |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.5W |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |