RV4E031RPHZGTCR1

Rohm Semiconductor

RV4E031RPHZGTCR1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

В производстве6-PowerWFDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 3.1A, 10V
Базовый Part NumberRV4E031
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerWFDFN
Корпус производителяDFN1616-6W

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)