RV2C010UNT2L

Rohm Semiconductor

RV2C010UNT2L

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3

В производствеSC-101, SOT-883Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs470mOhm @ 500mA, 4.5V
Базовый Part NumberRV2C010
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность400mW (Ta)

Механические

Package / CaseSC-101, SOT-883
Корпус производителяVML1006

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)