RV2C002UNT2L

Rohm Semiconductor

RV2C002UNT2L

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3

В производствеSC-101, SOT-883Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 150mA, 4.5V
Базовый Part NumberRV2C002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность100mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-101, SOT-883
Корпус производителяVML1006

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)