RUC002N05T116

Rohm Semiconductor

RUC002N05T116

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 50V 200MA SST3

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Базовый Part NumberRUC002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25 pF @ 10 V
ПроизводительRohm Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность200mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSST3

Среда

Рабочая температура150°C(TJ)